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Analogue and Digital Electronics Sr John Steven
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Analogue and Digital Electronics
Sr John Steven
The pn junction forms the basis of a large number of semiconductor devices. A BJT is formed by joining three sections of semiconductor material, each with a different doping concentration. The three sections can be either a thin nregion sandwiched between p] and p layers, or a p region between n and n+ layers, where the superscript "plus" indicates more heavily doped material. The resulting BJTs are called pnp and npn transistors, respectively.
| Mídia | Livros Paperback Book (Livro de capa flexível e brochura) |
| Lançado | 23 de setembro de 2020 |
| ISBN13 | 9798689323619 |
| Páginas | 88 |
| Dimensões | 216 × 280 × 5 mm · 226 g |
| Idioma | Inglês |