Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics - Koichiro Ishibashi - Livros - Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm - 9783642195679 - 18 de agosto de 2011
Caso a capa e o título não sejam correspondentes, considere o título como correto

Koichiro Ishibashi
Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics 2011 edition

Preço
€ 97,99

Item sob encomenda (no estoque do fornecedor)

Data prevista de entrega 26 de nov - 4 de dez
Presentes de Natal podem ser trocados até 31 de janeiro
Receba avisos sobre novos lançamentos de Koichiro Ishibashi

O que dizem nossos clientes:

Política de devolução de 14 dias, em conformidade com a lei europeia de proteção do consumidor
Melhor classificação na Trustpilot
Adicione à sua lista de desejos do iMusic

Ainda não avaliado

Também disponível como:

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

310 pages, biography

Mídia Livros     Hardcover Book   (Livro com lombada e capa dura)
Lançado 18 de agosto de 2011
ISBN13 9783642195679
Editoras Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm
Gênero Aspects (Academic) > Science / Technology Aspects
Páginas 144
Dimensões 155 × 235 × 13 mm   ·   362 g
Idioma Francês  
Editor Ishibashi, Koichiro
Editor Osada, Kenichi

Mais da mesma editora

Ver tudo de Koichiro Ishibashi