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Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices 1º edição
Yue Hao
Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices 1º edição
Yue Hao
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs).
392 pages
| Mídia | Livros Paperback Book (Livro de capa flexível e brochura) |
| Lançado | 30 de junho de 2020 |
| ISBN13 | 9780367574369 |
| Editoras | Taylor & Francis Ltd |
| Páginas | 392 |
| Dimensões | 150 × 220 × 10 mm · 771 g |
| Idioma | English |
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